全球首颗！我国科学家成功研发全新架构闪存芯片

　　每经编辑|黄胜    

　　继今年4月在《自然》提出“破晓”二维闪存原型器件后，复旦大学科研团队又迎来新突破。

　　据复旦大学公众号消息，北京时间10月8日晚，复旦大学在《自然》（Nature）上发文，题目为《全功能二维-硅基混合架构闪存芯片》（“A full-featured 2D flash chip enabled by system integration”），相关成果率先实现全球首颗二维-硅基混合架构芯片，攻克新型二维信息器件工程化关键难题。

图片来源：复旦大学公众号截图

　　面对摩尔定律逼近物理极限的全球性挑战，具有原子级厚度的二维半导体是目前国际公认的破局关键，科学家们一直在探索如何将二维半导体材料应用于集成电路中。当前，国际上对二维半导体的研究仍在起步阶段，尚未实现大规模应用。

　　大数据与人工智能时代对数据存取性能提出了极致要求，而传统存储器的速度与功耗已成为阻碍算力发展的“卡脖子”问题之一。今年4月，周鹏-刘春森团队于《自然》（Nature）期刊提出“破晓”二维闪存原型器件，实现了400皮秒超高速非易失存储，是迄今最快的半导体电荷存储技术，为打破算力发展困境提供了底层原理。

　　“从目前技术来看，存储器是二维电子器件最有可能首个产业化的器件类型。因为它对材料质量和工艺制造没有提出更高要求，而且能够达到的性能指标远超现在的产业化技术，可能会产生一些颠覆性的应用场景。”在存储器领域深耕多年的周鹏认为。

　　每日经济新闻综合复旦大学公众号

　　封面图片来源：每日经济新闻

责任编辑：陈琰 SN225